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金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器

更新時(shí)間：2024-05-10

簡(jiǎn)要描述：

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。

型號(hào)：廠商性質(zhì)：代理商瀏覽量：2900
品牌飛諾飛產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,能源

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。

型號(hào)工作電壓

對(duì)比ORTEC

U-016-300-100 型

探測(cè)器

（Am-241 面源）

真空下測(cè)量能量分

辯率1.2%

對(duì)比ORTEC

U-016-300-100 型

探測(cè)器

（Am-241 面源）

真空下測(cè)量峰道址

202

A-AS205~300VDC大于1000204~206
A-AS265~300VDC大于1000204~206
B-AS205~300VDC大于1000189-191
B-AS265~300VDC大于1000189-191



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